所以任重没打算自己来，而是祭出钱大法，开始收买技术资料。

当先要解决的就是离子注入器（机），这个设备说起来也是历史悠久，在主世界可以追溯到50年代，半导体离子注入设备是半导体制造中重要的设备之一，它可以将离子注入到半导体材料中，从而改变其导电性能。这个过程需要在真空环境中进行，以避免杂质对半导体材料的影响。可以说半导体和其后的芯片制造都离不开这样的设备。

具体来说，就是将气体形态的掺杂化合物原材料导入反应腔，加入电场和磁场交作用形成电浆等离子体；离子束从反应腔萃取出来后，受到电场牵引而加速前进，并在通过磁场后进行二次加速，提高离子束射程；通过质量分析器筛选需要的离子源；离子源通过精准的离子扫描系统，保障掺杂离子能够均匀地注入至整个硅晶圆上。

整个过程非常精密，好在这个设备现在基础款已经有了比较普及的技术，钱就能买。

在晶体管的核心材料方面，第一代的晶体管采用锗制造了结型晶体管，但是这第一代晶体管有一个致命缺点，温度超过80c就会出现严重问题。这是它的先天型缺陷，除了做好表面降温没有其他方法，所以功率放大方面锗晶体管就很有限。

但是相对来说，锗晶体管算是比较容易实现的晶体管，锗拥有较低的熔点，就意味着其晶体更容易生长，生产晶体管就想对容易。所以任重还是选择了这种材料，算是快速实现了第一代晶体管计算机，当然散热方面背上的风扇就比较多。

在接下来，半导体技术研究的方向就是攻克硅晶体管！

这才是真正主流的技术，能用到二十一世纪。

硅晶体管是npn结构，需要通过生长结工艺制造，硅具有更大的禁带宽度，使其能够在更高的温度下工作（见表1），其次，因为它与其氧化物——二氧化硅（sio2）具有显着的协同配合作用。

通过简单地在含氧气氛中加热硅，就可以廉价地形成高介电强度、电绝缘的sio2层。这种sio2层在化学和机械上非常稳定，可以有效地钝化硅的表面态，为常用的掺杂剂形成有效的扩散阻挡层，并且可以很容易地在硅上蚀刻或沉积。

正因为有着这么优异的性能，硅晶体管成为半导体时代的宠儿，雄霸半导体大半个时代。仅仅是半导体硅晶圆的生产，那就变成了几百亿美刀的市场，支撑着万亿级别的半导体市场。

然而生产半导体级硅极为不容易，需要将硅的纯度提纯到极高的水平，通常超过9个9（即99

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