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第153章 微流体与热电材料

“我是肖教授手下的硕士研究生,杨驰。”

他们早就看过陈辉的照片,再加上袁新毅亮出了陈辉一作的丢番图论文,他对陈辉还是很客气的,这个世界对有能力的人还是很宽容的,他们的实验也的确遇到了瓶颈,需要搞数学的帮助。

倒是陈辉有些诧异,看这位大哥的模样,他还以为是位博士后呢。

二十八岁的程序员?

“欢迎加入我们实验室,我们给袁老师的材料你看了吗?”

杨驰邀请陈辉进入实验室后,很快进入正题,从他嘴角的泡也能看得出来,他最近有些着急上火。

“看过了。”

经过一晚上加上午一个多小时的突击,陈辉大概明白了他们在做的项目是什么。

简单来说,就是高zt值热电材料研究。

热电材料是一种基于帕尔贴效应——当电流通过两种导体结时,一侧吸热(冷却)、另一侧放热,的散热材料。

这种材料可以用于芯片的散热,随着芯片技术的发展,3d堆迭芯片散热难度指数级上升,散热成了个大问题,如今主流的两个思路就是引入微流体和使用热电材料。

微流体冷却通过在芯片内部或层间集成微米级流体通道,利用流动的冷却液直接吸收并带走热量,目前能做到提高导热率20-40%,但制造复杂度高,可能影响心片可靠性,功耗高,还有冷却液泄露风险。

热电材料无运动部件,静音且可靠性高,响应速度快,受到不少研究者的青睐,可惜高zt材料成本昂贵,难以大规模应用,所以如果能够找到一种zt值高,制备起来又经济的材料,那就意味着滚滚而来的财富。

尤其是在当今县官技术被卡脖子的情况下,若真能有突破性进展,这对华夏更是意义重大。

因为散热瓶颈消除后,心片可突破现有制程限制,实现更高密度3d堆迭,晶体管密度提升10-100倍,心片主频有望重返高频时代,结合量子隧穿抑制技术,性能或提升5-8倍。

这就意味着哪怕是造不出5nm,3nm,我们同样可以通过更高密度的堆迭来实现同样的性能,达到弯道超车的目标。

当然,更可能的情况是,对面会求着用我们的热电材料,反而是随着nm数越小,散热问题越严重,他们同样迫切的需要解决这个问题,到时候谁卡谁就不好说了。

合则两利的事情。

当有更大利益驱使时,某些霸权的话可就不好使了,封锁自然不攻自破。

(本章完)

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