多个关键步骤和设备，包括晶圆制造、掩膜制作、半导体制造、封装和测试等的资料搞得明明白白，进货到亮剑世界进行二次实现，包括把这些设备重新研制出来。

这可不是一件简单的事情，哪怕是在前面已经研究了大批量集成电路生产设备的基础上，需要为8080生产研究的设备还是非常的艰难。

首当其冲的就是高纯度晶圆制造。

这个过程包括拉晶、晶圆切片、晶圆研磨、侵蚀、硅片抛光、清洗以及晶片外延加工，涉及高纯度的材料和严格的温度控制，以确保晶圆的质量和纯度。而掩膜制作就是通过光刻技术，利用紫外光对感光材料进行曝光，然后通过化学腐蚀或沉积的方式在芯片表面形成所需的电路图案，这一步骤是确保芯片设计的准确性和可靠性的关键，在芯片制造过程中，这一关就是最核心的所谓光刻环节。

这个制造过程中间涉及沉积、腐蚀、清洗等多个工艺步骤技术难度都不小，特别是离子注入，这个步骤是改变硅片的导电性质，形成晶体管等电子元件的关键步骤，这一过程需要精确控制各种化学物质的浓度和温度，以确保芯片的性能和稳定性。

涉及的工艺设计和实现是芯片制造过程中最难的步骤，没有之一。

而早期的生产设备没有那么完善，所以主世界60年代的芯片生产，更多是要靠人工手搓！

当初的手搓芯片并不是开玩笑，那些初代芯片工程师们，首先在方格纸上，用彩色铅笔绘制好集成电路版图，再用精细的刀片，在光掩模母版（rubylithmask)上，徒手把晶体管和电路连接，一点点刻出来，最后把模板图形，用相机缩小50-100倍，才能获得一张用来做光刻的光掩模，而和这种手工掩膜相匹配的原始光刻机，就是接触式光刻机，所以第一代光刻机只是一个人工手搓芯片的辅助工具。

更多的是靠工程师的技术水平。

这种接触式光刻机只会简单粗暴地把光掩膜盖在硅片上，掩膜与光刻胶涂层直接接触，再打光照射，完成曝光，然而这种光照方式的失败率和成本都很高，因为胶体本身及其黏附的浮尘微粒，不仅影响光刻效果，还会对光掩膜造成污染和破环，并且伤害效果会随着光刻次数累积，这不仅使每次光刻的良率低下，往往刻10枚芯片，只有1枚能用，同时也严重损耗光掩膜的寿命，导致一张掩膜，最多只能用个十几次，这样一来，制造芯片的成本非常高。

早期芯片低质高价就是这样出现的。

不过这种方式在最初是解决了有无的问题，有了

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