这样的技术，才能把功能更加强大的芯片制作出来。

要解决这个问题理论上也不难，直观来说，把光掩膜抬起来一点，不让它与光刻胶接触就行。

早期工程师们也是这么想的。于是他们在接触式光刻机的基础上，加了一个水平和垂直方向上可移动的平台，以及一个用来测量光掩膜和硅片间距与套刻（overlay)的显微镜，让光刻时两者尽量靠近，但又不直接接触，这就是渐进式光刻机。它避免了光刻胶玷污光掩膜，但却带来一个新的问题：那就是由于光的衍射效应，光刻机的精度下降了。

宏观上我们认为，光是沿直线传播的，但微观上并不是这样，光具有波动性，在通过小孔窄缝或遇到细微障碍物时，会产生衍射，或者叫绕射，偏离原本的直线传播，照到不应该照到的地方，光源波长，相比窄缝越大，衍射现象越严重，这就像你举着刀，想在硅片上劈一条100纳米宽的口子，结果发现刀刃就有400纳米宽，只能用来劈瓜。

在渐进式光刻中，光刻精度除了受限于波长之外，还取决于光掩膜到硅片之间的距离，间距越大，硅片上的投影与掩膜上图形的误差就越大。把光掩膜举起来，光刻精度就不够；把光掩膜放下去，光刻成本又太高，这个徘徊于接触和渐进式光刻机的时期，就是半导体史上的遮蔽式光刻年代。而这两种古早的光刻机，统称为maskaligner，它们所使用的1：1光掩膜，就是一个遮光板，光刻机只用把光影照在硅片上，构造简单，不需要任何复杂的光学系统。

接触式光刻机

这种接触式光刻机，虽然说也可以用来生产出芯片，早期的sram存储芯片，以及古早时期第一枚商用cpu，都是用这种设备来生产的，但在当时却没有什么人能买得起，原因就在于接触式光刻的生产良率太低，对光掩膜的损耗太大，导致芯片价格过于昂贵，只能用于科研和军工这种不计成本的场景。

显然，如果光刻技术只是这样，那芯片的普及就是一句空话，所以it行业的科学家们没有停止脚步。

他们希望能做出一种精度高，又不用把光掩膜压在光刻胶上的光刻机。

这就是现代光刻技术真正的起点，到了这一步，光刻机正式从接触渐进式，踏入了投影式时代，实现了现代光刻机初号机的构造。

新的改变并不复杂，主世界新一代光刻机micralign采用反射型的投影方式，利用两片同轴的球面反射镜，把光掩膜上的图形，经过三次反射，投射在硅片上，这种对称的光路设计，可以消

本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第4页 / 共5页